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उच्च पीक रिवर्स वोल्टेज के साथ एसएमडी वैरिस्टोर प्रभावी डीडीआर5 16जीबी ए-डाय एसडीआरएएम के लिए रेटेड
उत्पाद विवरण:
| उत्पत्ति के प्लेस: | डोंगगुआन, गुआंग्डोंग, चीन |
| ब्रांड नाम: | UCHI |
| प्रमाणन: | SGS.MA.CTI.CQC |
| मॉडल संख्या: | DDR5 16GB A-डाई SDRAM |
भुगतान & नौवहन नियमों:
| न्यूनतम आदेश मात्रा: | 10000PCS |
|---|---|
| मूल्य: | विनिमय योग्य |
| पैकेजिंग विवरण: | थोक/टेप |
| प्रसव के समय: | 5-7 दिन |
| भुगतान शर्तें: | टी/टी, पेपैल, वेस्टर्न यूनियन, पैसा ग्राम |
| आपूर्ति की क्षमता: | प्रति माह 5000,000,000PCS |
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विस्तार जानकारी |
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| उत्पादन श्रृंखला: | एसएमडी वैरिस्टर | अधिकतम धारा: | भिन्न होता है (उदाहरण के लिए, कई एम्पीयर तक) |
|---|---|---|---|
| तकनीकी: | धातु ऑक्साइड | ऊर्जा अवशोषण: | आमतौर पर 0.1J से 10J |
| अनुप्रयोग: | इलेक्ट्रॉनिक सर्किट में सुरक्षा बढ़ाना | वोल्टेज रेटिंग डीसी: | 385 वी |
| शुभ नाम: | SMD वैरिस्टर 10D471K 470V 10% | ऊर्जा प्रतिरोध: | ए 0.02जेबी 0.05जे |
| इन्सुलेशन प्रतिरोध: | आमतौर पर >100 MΩ | टर्मिनल: | विशेष श्रीमती माउंट |
| भंडारण तापमान: | -55 +125 | वैरिस्टर वोल्टेज ए.सी: | 175-385 वी |
| वैरिस्टर वोल्टेज: | 470V+/-10% | ||
| प्रमुखता देना: | डीडीआर5 एसडीआरएएम के लिए एसएमडी वैरिस्टोर,उच्च पीक रिवर्स वोल्टेज वारिस्टोर,ए-डाय संगतता के साथ एसएमडी वैरिस्टोर |
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उत्पाद विवरण
DDR5 16Gb A-Die SDRAM
1.1 मुख्य विशेषताएँ
• JEDEC मानक के अनुरूप;
• बिजली आपूर्ति: VDD/VDDQ = 1.1V (1.067V (-3%) से 1.166V (+6%));
• बिजली आपूर्ति: VPP = 1.8V (1.746V (-3%) से 1.908V (+6%));
• JEDEC मानक पैकेज: x4/x8 के लिए 82-बॉल FBGA, x16 के लिए 102-बॉल FBGA;
• ऐरे कॉन्फ़िगरेशन:
• x4/x8 के लिए 32 बैंक (8 बैंक समूह, प्रत्येक बैंक समूह के लिए 4 बैंक);
• x16 के लिए 16 बैंक (4 बैंक समूह, प्रत्येक बैंक समूह के लिए 4 बैंक);
• 16n-बिट प्रीफ़ेच आर्किटेक्चर;
• बर्स्ट लेंथ (BL): BL16, BC8 OTF, BL32 (वैकल्पिक), BL32 OTF (वैकल्पिक) समर्थित हैं; • प्रोग्रामेबल CAS लेटेंसी (CL);
• प्रोग्रामेबल CAS राइट लेटेंसी (CWL);
मोड रजिस्टर सेटिंग के माध्यम से ऑन-डाई टर्मिनेशन (ODT): RTT_PARK, RTT_WR, RTT_NOM_WR, RTT_NOM_RD, DQS_RTT_PARK
सामान्य रिफ्रेश मोड और फाइन ग्रैन्युलैरिटी रिफ्रेश मोड के लिए समान बैंक रिफ्रेश और ऑल बैंक रिफ्रेश; • फाइन ग्रैन्युलैरिटी रिफ्रेश 2x (0°C ≤ TCase ≤ 85°C), 4x (85°C ≤ TCase ≤ 95°C) मोड छोटे tRFC के लिए;
• द्वि-दिशात्मक डिफरेंशियल डेटा-स्ट्रोब;
• डेटा इनपुट/आउटपुट, कमांड और एड्रेस इनपुट के लिए POD (स्यूडो ओपन ड्रेन) इंटरफ़ेस;
• कनेक्टिविटी टेस्ट मोड (TEN) समर्थित है;
• डेटा इनपुट, कमांड/एड्रेस इनपुट और चिप सेलेक्ट के लिए इंटरनल VREF;
• CAI (कमांड एड्रेस इन्वर्जन);
• कमांड के लिए 1N/2N मोड समर्थित है;
• 4-टैप डिसीजन फीडबैक इक्वलाइज़र (DFE) समर्थित है;
• लूपबैक और बिट एरर रेट टेस्ट समर्थित हैं;
• hPPR/sPPR समर्थित है; sPPR Do/undo/Lock समर्थित है;
• ट्रेनिंग मोड:
• VrefDQ / VrefCA / VrefCS ट्रेनिंग
• रीड ट्रेनिंग मोड
• CA ट्रेनिंग मोड
• CS ट्रेनिंग मोड
• प्रति पिन VREFDQ ट्रेनिंग
• राइट लेवलिंग ट्रेनिंग मोड
• रीड के लिए ड्यूटी साइकिल एडजस्टर (DCA) - ग्लोबल
• रीड के लिए प्रति पिन DCA (ड्यूटी साइकिल एडजस्टर) - प्रति पिन (DQ) • प्रति DRAM एड्रेसेबिलिटी (PDA);
• अधिकतम पावर सेविंग मोड (MPSM);
• मल्टी-पर्पस कमांड (MPC);
• पावर अप के लिए एसिंक्रोनस रीसेट;
ऑपरेटिंग केस तापमान: 0°C ≤ TCase ≤ 95°C;
• ऑटो-रिफ्रेश और सेल्फ-रिफ्रेश मोड का समर्थन करें;
• औसत रिफ्रेश अवधि:
• 3.9 μs/32ms, 0°C ≤ TCase ≤ 85°C पर 8K साइकिल; • 1.95 μs/16ms, 85°C पर 8K साइकिल < TCase ≤ 95°C;
प्रोग्रामेबल रीड/राइट प्रीएम्बल और पोस्टएम्बल;
• रीड/राइट डेटा इंटीग्रिटी के लिए साइक्लिक रिडंडेंसी कोड (CRC) समर्थित है; • ऑन-डाई ECC;
• ECC ट्रांसपेरेंसी और एरर स्क्रब;
• MBIST / mPPR;
• गियर डाउन मोड समर्थित नहीं है;
• पैकेज आउटपुट ड्राइवर टेस्ट मोड;
• आंशिक ऐरे सेल्फ रिफ्रेश (PASR) समर्थित नहीं है;
• RoHS अनुपालन
नोट:
इस डेटाशीट में वर्णित कार्यक्षमता और समय विनिर्देश DLL सक्षम ऑपरेशन मोड (सामान्य ऑपरेशन) के लिए हैं, जब तक कि विशेष रूप से अन्यथा न कहा गया हो।
DDR5 SDRAM पैकेज विनिर्देश
यह अध्याय मुख्य रूप से x4/x8/x16 कॉन्फ़िगरेशन में पैकेज आयाम और बॉलआउट का परिचय देगा जो आपके डिवाइस से मिलान करने में मदद कर सकता है।
पृष्ठ 7 पर DDR5 SDRAM पैकेज आयाम
• MO-210-AN का उपयोग करके DDR5 SDRAM x8 बॉलआउट – पृष्ठ 8 पर 82-बॉल • पृष्ठ 9 पर पिनआउट विवरण
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