• बड़े करंट 32D751K NTC थर्मिस्टर इनरश करंट को सीमित करने के लिए
बड़े करंट 32D751K NTC थर्मिस्टर इनरश करंट को सीमित करने के लिए

बड़े करंट 32D751K NTC थर्मिस्टर इनरश करंट को सीमित करने के लिए

उत्पाद विवरण:

उत्पत्ति के प्लेस: चीन
ब्रांड नाम: SHIHENG
प्रमाणन: UL CQC TUV
मॉडल संख्या: 32D751के

भुगतान & नौवहन नियमों:

न्यूनतम आदेश मात्रा: 1000 पीसी
मूल्य: Negotiable
पैकेजिंग विवरण: थोक
प्रसव के समय: 7-10 दिन
भुगतान शर्तें: टी/टी
आपूर्ति की क्षमता: प्रति माह 1000000 पीसी
सबसे अच्छी कीमत संपर्क करें

विस्तार जानकारी

नाम: एनटीसी थर्मिस्टर श्रृंखला: 32D751के
लीकेज करंट: ≦30 (μA) अधिकतम स्वीकार्य वोल्टेज: एसी: 460 (वी) डीसी: 615 (वी)
हाई लाइट:

लार्ज करंट NTC थर्मिस्टर

,

32D751K NTC थर्मिस्टर

,

लिमिटिंग इनरश करंट NTC थर्मिस्टर

उत्पाद विवरण

बड़े करंट 32D751K NTC थर्मिस्टर इनरश करंट को सीमित करने के लिए

 

 

गुआंग्डोंग Uchi इलेक्ट्रॉनिक्स कं, लिमिटेड  
अनुमोदन के लिए विशिष्टता
Rev1.0 विनिर्देश नहीं।
भाग
नहीं।
UCHI-32D751K+Teflonwire पेज 1 का 4
दिनांक: 2022 को 12 जुलाई 8
               
1.रूपरेखा
1.1 उपस्थिति बिना किसी दरार के, मार्किंग स्पष्ट होनी चाहिए
1.2 DIMENSIONS आयाम (मिमी)
बड़े करंट 32D751K NTC थर्मिस्टर इनरश करंट को सीमित करने के लिए 0 डी (अधिकतम) 36
एच (अधिकतम) 40
के (अधिकतम) 4.0
टी (अधिकतम) 9.4
डी (± 0. 1) 1.3
डी 1 (± 0.1) 1.0
एफ (± 1.5) 20
एल (न्यूनतम) 35
एपॉक्सी रंग: नीला
 
2.इलेक्ट्रिकल पैरामीटर
2.1 अधिकतम स्वीकार्य वोल्टेज एसी: 460 (वी) 1mA डीसी पर
डीसी: 615 (वी)
2.2 वैरिस्टर वोल्टेज 675-825 (वी) वी0।1mA □ V1mA ■
2.3 रेटेड वाटेज 1.2 (डब्ल्यू)  
2.4 मैक्स क्लैम्पिंग वोल्टेज आईपी: 200 (ए) परीक्षण वर्तमान तरंग
8/20 μs
वीसी: 1240 (वी)
2.5 सहनशील उछाल
मौजूदा
1 समय 25000 ए परीक्षण वर्तमान तरंग
8/20 μs
2 बार 2000 ए
2.6 अधिकतम ऊर्जा 620 (जे) परीक्षण वर्तमान तरंग
10/1000 μs
2.7 विशिष्ट समाई 2000 (पीएफ) @ 1 किलोहर्ट्ज़
2.8 लीकेज करंट ≦30 (μA) Varistor वोल्टेज के 80% पर
2.9 अरेखीय प्रतिपादक (α) ≧20  बड़े करंट 32D751K NTC थर्मिस्टर इनरश करंट को सीमित करने के लिए 1 बड़े करंट 32D751K NTC थर्मिस्टर इनरश करंट को सीमित करने के लिए 2α = लॉग लॉग
2.10 तापमान गुणांक
वैरिस्टर वोल्टेज का
≦ ± 0.05% / सी
अधिकतम
वीसी85सी-वीसी25सी 1
Vcat25C × 60 × 100(%C)
2.11 आवेगपूर्ण जीवन ≦±10%(V1mA) परीक्षण वर्तमान तरंग 8/20 μs
गुआंग्डोंग Uchi इलेक्ट्रॉनिक्स कं, लिमिटेड

के लिए विशिष्टता

अनुमति
Rev1.0 विनिर्देश नहीं।
भाग
नहीं।
UCHI-32D751K (टेफ्लॉनवायर) पृष्ठ : 4 का 2
दिनांक:2022 को 12 जुलाई 8
               
3. पैकिंग
3.1 मात्रा 100PCS
3.2 पैकिंग आयाम    बड़े करंट 32D751K NTC थर्मिस्टर इनरश करंट को सीमित करने के लिए 3 बड़े करंट 32D751K NTC थर्मिस्टर इनरश करंट को सीमित करने के लिए 4 बड़े करंट 32D751K NTC थर्मिस्टर इनरश करंट को सीमित करने के लिए 5एल.पी. एल.पी. 240 मैक्स
हिमाचल प्रदेश अधिकतम 60
WP 180 मैक्स
यूनिट: मिमी
4. सामग्री सूची
4.1 चित्रकला बड़े करंट 32D751K NTC थर्मिस्टर इनरश करंट को सीमित करने के लिए 6 टी एफ्लॉनवायर
4.2 सामग्री चार्ट RoHs वस्तु संघटन उत्पादक
कलई करना एपॉक्सी रेजि़न चीन में निर्मित, और UL 94-V0 के अनुरूप
परीक्षण, पर्यावरण आवश्यकताओं को पूरा
नेतृत्व करना सीपी तार चीन में निर्मित, पर्यावरण से मिलें
आवश्यकताएं
इलेक्ट्रोड चाँदी चीन में निर्मित, पर्यावरण से मिलें
आवश्यकताएं
डिस्क ज़िंक ऑक्साइड जिप ओवर एलएलसी
मिलाप एसएन: 96.5% सीयू
0.5% Ag3.0%
चीन में निर्मित, पर्यावरण से मिलें
आवश्यकताएं
5. अंकन कोड
  बड़े करंट 32D751K NTC थर्मिस्टर इनरश करंट को सीमित करने के लिए 7
गुआंग्डोंग Uchi इलेक्ट्रॉनिक्स कं, लिमिटेड

अनुमोदन के लिए विशिष्टता
Rev1.0 विनिर्देश नहीं।
भाग
नहीं।
UCHI-32D751K (टेफ्लॉनवायर पृष्ठ :4 का 3
दिनांक :2022 को 12 जुलाई 8
यूएल   संस्कृति   वीडीई   सीक्यूसी  
6. यांत्रिक आवश्यकताएं
6.1 समाप्ति की तन्यता कोई बकाया नहीं
आघात
1.0 किग्रा;10सेक।
6.2 समाप्ति का झुकना कोई बकाया नहीं
आघात
0.5 किलो; 90 डिग्री, 3 बार
6.3 कंपन कोई बकाया नहीं
आघात
फ्रीक: 10-55 हर्ट्ज; एम्प: 0.75 मिमी, 1 मिनट
.
6.4 मिलाप की मिन।95% द
टर्मिनल होना चाहिए
से ढका
मिलाप समान रूप से
सोल्डर टेम्प: 265 ± 5 सी
डूबे हुए समय: ≤5Sec।
6.5 टांका लगाने वाली गर्मी का प्रतिरोध △ V1mA/V1mA
≦±5%
सोल्डर टेम्प: 265±5सी
डूबे हुए समय: 10±1 सेकेंड।
7. पर्यावरणीय आवश्यकताएँ
7.1 उच्च तापमान भंडारण △V1mA/V1mA
≦±5%
परिवेश तापमान: 125±2C
अवधि: 1000h
7.2 कम तापमान भंडारण △V1mA/V1mA
≦±5%
परिवेश तापमान: -40±2C
अवधि: 1000h
7.3 हाई ह्यूमिडिटी स्टोरेज/नम
गर्मी
△V1mA/V1mA
≦±5%
परिवेश तापमान: 40±2C 90-95%
आरएच अवधि: 1000h
7.4 तापमान चक्र △V1mA/V1mA
≦±5%
कदम तापमान
(सी)
अवधि
(मिनट)
1 -40±3 30 ± 3
2 कमरे का तापमान 15 ± 3
3 125±3 30 ± 3
4 कमरे का तापमान 15 ± 3
7.5 उच्च तापमान भार △V1mA/V1mA
≦±10%
परिवेश अस्थायी: 85±2C
अवधि: 1000h भार: अधिकतम।
स्वीकार्य वोल्टेज
7.6 उच्च आर्द्रता भार △V1mA/V1mA
≦±10%
परिवेश तापमान: 40±2C
90-95% आरएचडीअवधि: 1000 एच
लोड: मैक्स।स्वीकार्य वोल्टेज
7.7 तापमान रेंज आपरेट करना -40C ~ + 85C -40C ~ + 85C
7.8 स्टोरेज टेंपरेचर रेंज -40C ~ + 125C -40C ~ + 125C
गुआंग्डोंग Uchi इलेक्ट्रॉनिक्स कं, लिमिटेड

अनुमोदन के लिए विशिष्टता
Rev1.0 विनिर्देश नहीं।
भाग
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UCHI-32D751K टेफ्लॉनवायर पृष्ठ :4 का 4
दिनांक :2022 को 12 जुलाई 8
               
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